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Sales Rank: |
Nr. 18 in interne Festplatten SSD Nr. 531 in Computer |
 | Stil: |
interne Festplatten SSD |
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Artikel Nr.: |
2101281033 |
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Vergleich mit ähnlichen Artikeln |
ARTIKEL | M.2 1TB Samsung 990 EVO Plus NVMe PCIe 5.0 x 2 | | | | |
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Artikelnummer | 2101281033 | 2101078917 | 2100958247 | 2100526109 | 2100476485 |
Im Angebot seit | 31.10.2024 | 04.01.2024 | 08.08.2023 | 25.01.2025 | 30.12.2021 |
Preis | 116,49 EUR | 244,39 EUR | 294,99 EUR | 158,89 EUR | 67,09 EUR |
Gewicht | 9 g | 750 g | 6 g | 5,5 g | 8 g |
Hersteller | Samsung | Western Digital / Hgst | Lexar Media | Western Digital | Transcend |
Kategorie | Hardware/Electronic | Hardware/Electronic | Hardware/Electronic | Hardware/Electronic | Accessories |
Schnittstelle | PCI Express 4.0 | Serial ATA III | PCI Express 4.0 | PCI Express 4.0 | PCI Express 3.0 | Komponente für | PC | NAS | PC/Spielekonsole | PC/Laptop | PC | Breite | 80,2 mm | 101,6 mm | 22 mm | 22 mm | 22 mm | Tiefe | 2,38 mm | 147 mm | 80 mm | 80 mm | 80 mm | Höhe | 22,1 mm | 26,1 mm | 2,45 mm | 2,38 mm | 3,58 mm | Betriebstemperatur | 0 - 70 °C | 0 - 65 °C | 0 - 70 °C | 0 - 85 °C | 0 - 70 °C |
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Beschreibung: | Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen GePCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2, M.2 2280, internKapazität: 1 TBDatentransferrate: Lesen: 7.150 MB/s, Schreiben: 6.300 MB/sIOPS: Lesen: 850.000, Schreiben: 1.350.000Die Samsung 990 EVO Plus NVMe PCIe 5.0 x2 M.2 SSD mit einer Kapazität von 1 TB richtet sich an Anwender mit höchsten Ansprüchen an Leistung und Zuverlässigkeit bei Speicherlösungen. Dank der modernen PCIe Gen5-Schnittstelle bietet dieses Laufwerk extrem schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten ? ideal für Gaming-Enthusiasten sowie Content Creator und Profis im Umgang mit großen Datenmengen oder anspruchsvollen Anwendungen. Mit sequentiellen Lesegeschwindigkeiten von bis zu 5000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4200 MB/s (je nach Systemkonfiguration) profitieren Sie von schnellen Bootzeiten sowie zügigen Dateiübertragungen und flüssigem Multitasking.
Samsung setzt auf die eigene V-NAND-Technologie sowie einen optimierten Controller für hohe Haltbarkeit und Energieeffizienz bei gleichzeitig schneller Datenverarbeitung. Die Festplatte unterstützt fortschrittliche Funktionen wie AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung zum Schutz Ihrer Daten.
Dieses Produkt eignet sich hervorragend zur Aufrüstung kompatibler Desktop-PCs oder Notebooks mit einem M.2-NVMe-Steckplatz ? egal ob beim Neubau eines Systems oder zur Steigerung der Reaktionsfähigkeit Ihres bestehenden Setups.
Als weltweit führender Elektronikhersteller engagiert sich Samsung stark für Nachhaltigkeit durch umweltfreundliche Produktionsprozesse, reduzierte CO?-Emissionen entlang der Lieferkette sowie verantwortungsvolle Materialbeschaffung und Recycling-Initiativen. Mit dem Kauf dieser SSD leisten Kunden nicht nur technologisch einen Fortschritt; sie tragen auch aktiv zum Umweltschutz bei ? ein Schritt in eine grünere Zukunft. |  | Herstellernummer: |
MZ-V9S1T0BW |
 | Details zur Produktsicherheit
Verantwortliche Person für die EU:
Samsung Frankfurter Straße 2, 65760 Eschborn, Deutschland kundenbetreuung@samsung.de |  |
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Gewicht und Abmessungen | Breite | 80,2 mm | Gewicht | 9 g | Höhe | 22,1 mm | Tiefe | 2,38 mm | Betriebsbedingungen | Betriebstemperatur | 0 - 70 °C | Merkmale | Hardwareverschlüsselung | Ja | Komponente für | PC | Lesegeschwindigkeit | 7150 MB/s | M.2 SSD- Größe | 2280 (22 x 80 mm) | Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) | 1500000 h | NVMe | Ja | NVMe Version | 2.0 | S.M.A.R.T. Unterstützung | Ja | SSD Speicherkapazität | 1 TB | SSD-Formfaktor | M.2 | Schnittstelle | PCI Express 4.0 | Schreibgeschwindigkeit | 6300 MB/s | Speichertyp | V-NAND TLC | TRIM-Unterstützung | Ja | Unterstützte Sicherheitsalgorithmen | 256-bit AES | Zufälliges Lesen (4KB) | 850000 IOPS | Zufälliges Schreiben (4KB) | 1350000 IOPS |
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